| 描述 | ZENER DIODE DFN1006-2A | 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 4.7 V |
|---|---|---|---|
| 容差 | ±2% | 功率 - 最大值 | 300 mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 Ohms | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 3 μA @ 2 V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900 mV @ 10 mA | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0402（1006 公制） |
| 供应商器件封装 | DFN1006-2A |
【NXP Semiconductors】BZX884-B51 T/R,稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7
【NXP Semiconductors】BZX884-B51,315,DIODE ZENER 250MW 51V SOD882
【NXP Semiconductors】BZX884-B56 T/R,稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7
【NXP Semiconductors】BZX884-B56,315,DIODE ZENER 250MW 56V SOD882
【NXP Semiconductors】BZX884-B5V1 T/R,稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7
【NXP Semiconductors】BZX884-B5V1,315,DIODE ZENER 5.1V 250MW SOD882
