| 描述 | GEN 3 650V 49A SIC MOSFET | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | SiCFET（碳化硅） | 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 49A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 17.6A，15V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 4.84mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 63 nC @ 15 V | Vgs（最大值） | +19V，-8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1621 pF @ 600 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 176W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-4L |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |
