| 描述 | 4M, 1700V SIC MODULE HALF-BRIDGE | 技术 | 碳化硅（SiC） |
|---|---|---|---|
| 配置 | - | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 1700V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 320A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | - | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商器件封装 | - |
