| 描述 | SiC MOSFET 20A 1200V TO-247-3 | FET 类型 | - |
|---|---|---|---|
| 技术 | SiCFET（碳化硅） | 漏源电压（Vdss） | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 10A，15V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 16 nC @ 5 V | Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 810 pF @ 200 V | FET 功能 | 标准 |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
