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CDBDSC3650-G

产品属性

描述	DIODE SIL CARBIDE 650V 11A DPAK	技术	SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）	650 V	电流 - 平均整流 (Io)	11A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	1.7 V @ 3 A	速度	无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)	0 ns	不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	100 μA @ 650 V
不同?Vr、F 时电容	181pF @ 0V，1MHz	安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63	供应商器件封装	DPAK
工作温度 - 结	-55°C ~ 175°C

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