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CDBJSC3650-G

产品属性

描述	DIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220F	技术	SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）	650 V	电流 - 平均整流 (Io)	3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	1.7 V @ 3 A	速度	无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)	0 ns	不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	100 μA @ 650 V
不同?Vr、F 时电容	190pF @ 0V，1MHz	安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-2 整包	供应商器件封装	TO-220F
工作温度 - 结	-55°C ~ 175°C

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