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CFY67-08 (P)

制造商：-
技术类型：pHEMT
频率：12 GHz
增益：11.5 dB
噪声系数：0.7 dB

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产品属性

描述	射频GaAs晶体管	正向跨导 gFS（最大值/最小值）	65 mS
漏源电压 VDS	3.5 V	闸/源击穿电压	- 3 V to 0.5 V
漏极连续电流	60 mA	最大工作温度	+ 150 C
功率耗散	200 mW	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Micro-X	配置	Single Dual Source
P1dB	11 dBm	零件号别名	CFY6708PNZ CFY6708PZZZA1 SP000011453

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