| 描述 | RF MOSFET HEMT 28V 12DFN | 技术 | HEMT |
|---|---|---|---|
| 配置 | - | 频率 | 6GHz |
| 增益 | 18.3dB | 电压 - 测试 | 28 V |
| 额定电流（安培） | - | 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 200 mA | 功率 - 输出 | 30W |
| 电压 - 额定 | 84 V | 安装类型 | - |
| 封装/外壳 | 12-VFDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | 12-DFN（4x3） |
【Cornell Dubilier】CGH272T350W3L,铝质电解电容器-螺旋式接线端 2700uF 350V-10+50%
【Cornell Dubilier】CGH272T500W5L,铝质电解电容器-螺旋式接线端 2700uF 500V-10+50%
【Cornell Dubilier】CGH272T500X4C,铝质电解电容器-螺旋式接线端 2700uF 500V-10+50%
【Cornell Dubilier】CGH292T250V3L,铝质电解电容器-螺旋式接线端 2900uF 250V-10+50%
【Cornell Dubilier】CGH292T350W3L,铝质电解电容器-螺旋式接线端 2900uF 350V-10+50%
