| 描述 | RF MOSFET HEMT 28V DIE | 技术 | HEMT |
|---|---|---|---|
| 配置 | - | 频率 | 6GHz |
| 增益 | 15dB | 电压 - 测试 | 28 V |
| 额定电流（安培） | - | 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 100 mA | 功率 - 输出 | 8W |
| 电压 - 额定 | 84 V | 安装类型 | - |
| 封装/外壳 | 模具 | 供应商器件封装 | 模具 |
【Cornell Dubilier】CGH602T350X4L,铝质电解电容器-螺旋式接线端 6000uF 350V-10+50%
【Cornell Dubilier】CGH621T450V2L,铝质电解电容器-螺旋式接线端 620uF 450V-10+50%
【Cornell Dubilier】CGH692T500X8L,铝质电解电容器-螺旋式接线端 6900uF 500V-10+50%
【Cornell Dubilier】CGH702T250W4L,铝质电解电容器-螺旋式接线端 7000uF 250V-10+50%
【Cornell Dubilier】CGH711T500V3C,铝质电解电容器-螺旋式接线端 710uF 500V-10+50%
