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CM100DU-12F

  • 制造商:-
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:IGBT
  • 系列:IGBTMOD?
  • IGBT 类型:沟道
  • 配置:半桥
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述IGBT MOD DUAL 600V 100A F SER电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
Vge, Ic时的最大Vce(开)2.2V @ 15V,100A电流 - 集电极 (Ic)(最大)100A
电流 - 集电极截止(最大)1mAVce 时的输入电容 (Cies)27nF @ 10V
功率 - 最大350W输入标准型
NTC 热敏电阻安装类型底座安装
封装/外壳模块供应商设备封装模块

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