| 描述 | IGBT MOD DUAL 1200V 150A A SER | 配置 | 半桥 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V | Vge, Ic时的最大Vce（开） | 3V @ 15V，150A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 150A | 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies) | 23nF @ 10V | 功率 - 最大 | 960W |
| 输入 | 标准型 | NTC 热敏电阻 | 无 |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商设备封装 | 模块 | 配用 | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
