描述 | IGBT MOD DUAL 1200V 200A NFH SER | 配置 | 半桥 |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 1200V | Vge, Ic时的最大Vce(开) | 6.5V @ 15V,200A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 200A | 电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
Vce 时的输入电容 (Cies) | 32nF @ 10V | 功率 - 最大 | 830W |
输入 | 标准型 | NTC 热敏电阻 | 无 |
安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 模块 |
供应商设备封装 | 模块 | 配用 | BG2C-5015-ND - KIT DEV BOARD 5A FOR IGBTBG2C-3015-ND - KIT DEV BOARD 3A FOR IGBTBG2A-NFH-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |