您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > cmf20120d
  • CMF20120D

CMF20120D

  • 制造商:-
  • 产品培训模块:1200V SiC Mosfet Overview
  • 视频文件:Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$33.33
  • 100$32.05
  • 500$31.25
产品属性
描述SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3系列Z-FET?
FET 型SiCFET N 通道,碳化硅FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫欧 @ 20A,20VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs90.8nC @ 20V输入电容 (Ciss) @ Vds1915pF @ 800V
功率 - 最大150W安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3供应商设备封装TO-247-3
包装管件

cmf20120d的相关型号: