描述 | 双极小信号 Dual - PNP/PNP Switching | 封装 / 箱体 | SOT-363 |
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集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V | 发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
集电极连续电流 | 0.45 A | 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
功率耗散 | 350 mW | 最大工作频率 | 250 MHz |
最大工作温度 | + 150 C | 封装 | Reel |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 60 at 0.1 mA at 1 V | 最小工作温度 | - 65 C |
Standard Pack Qty | 3000.0 |
【Central Semiconductor】CMKT3920,Transistors Bipolar (BJT) Small Signal Transistor
【Central Semiconductor】CMKT3946,Transistors Bipolar (BJT) Dual - NPN/PNP Switching
【Central Semiconductor】CMKT5078,Transistors Bipolar (BJT) Dual - NPN/PNP
【Central Semiconductor】CMKT5087,Transistors Bipolar (BJT) Dual - PNP/PNP