| 描述 | DIODE | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 50 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 280mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.5 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 70 pF @ 25 V | FET 功能 | 肖特基二极管（隔离式） |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
