| 描述 | 双极小信号 PNP Complementary Enhanced | 封装 / 箱体 | SOT-563 |
|---|---|---|---|
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V | 发射极 - 基极电压 VEBO | 6 V |
| 集电极连续电流 | 0.45 A | 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 功率耗散 | 350 mW | 最大工作频率 | 300 MHz |
| 最大工作温度 | + 150 C | 封装 | Reel |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 90 at 0.1 mA at 1 V | 最小工作温度 | - 65 C |
| Standard Pack Qty | 3000.0 |
【Central Semiconductor】CMLT3946E,Transistors Bipolar (BJT) NPN/PNP Complemntry
【Central Semiconductor】CMLT3946E LEADFREE,双极小信号 NPN/PNP Complemntry
【Central Semiconductor】CMLT5078E,Transistors Bipolar (BJT) Dual - NPN/PNP Enhanced
【Central Semiconductor】CMLT5087E,Transistors Bipolar (BJT) Dual - PNP/PNP Enhanced
【Central Semiconductor】CMLT5087E LEADFREE,双极小信号 Dual - PNP/PNP Enhanced