| 描述 | 双极小信号 PNP Gen Purpose | 封装 / 箱体 | SOT-23 |
|---|---|---|---|
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V | 发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A | 功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作频率 | 250 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 | Reel | DC Collector/Base Gain hfe Min | 60 at 0.1 mA at 1 V |
| 最小工作温度 | - 65 C | Standard Pack Qty | 3000.0 |
【Central Semiconductor】CMPT4401,Transistors Bipolar (BJT) NPN GP
【Central Semiconductor】CMPT4401 T&R 3000 PCS,Transistors Bipolar (BJT) NPN GP
【Central Semiconductor】CMPT4403 LEADFREE,Transistors Bipolar (BJT) PNP GP
【Central Semiconductor】CMPT4403 T&R 3000 PCS,Transistors Bipolar (BJT) PNP GP USE 610-CMPT4403