| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN Extremely High Voltage | 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 40 at 1 mA at 10 V | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 20 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-23 |
| 封装 | Reel | 集电极连续电流 | 0.45 A |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 350 mW |
| 工厂包装数量 | 3000 |
【Central Semiconductor】CMPTA56,Transistors Bipolar (BJT) PNP Med Power
【Central Semiconductor】CMPTA56 T&R 3000 PCS,Transistors Bipolar (BJT) PNP Med Power
【Central Semiconductor】CMPTA56TR,Transistors Bipolar (BJT) Single PNP 80V 500mA
【Central Semiconductor】CMPTA63,Transistors Darlington PNP Darlington
【Central Semiconductor】CMPTA63 LEADFREE,达林顿晶体管 PNP Darlington
【Central Semiconductor】CMPTA64,Transistors Darlington PNP Darlington