| 描述 | MOSFET N-CH 30VDS 20VGS 25A PDFN | 技术 | - |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 7.2nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 572pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.7W（Ta），20.8W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PDFN（SPR-PAK ）（3.3x3.3） |
