| 封装类型 | DIP | 针脚数 | 6 |
|---|---|---|---|
| SVHC(高度关注物质) | No SVHC (19-Dec-2011) | 上升时间 | 3μs |
| 下降时间 | 3.7μs | 功耗 | 265mW |
| 功耗, Pd | 265mW | 外宽 | 8.8mm |
| 外部深度 | 6.4mm | 外部长度/高度 | 4.2mm |
| 工作温度范围 | -55°C 到 +100°C | 引脚节距 | 2.54mm |
| 批准机构 | BSI / DIN / FIMKO / UL / VDE | 排距 | 7.62mm |
| 最大正向电流, If | 130mA | 正向电压 Vf 最大 | 1.6V |
| 电压, Vceo | 90V | 电压, Vf 典型值 | 1.25V |
| 电流, If @ CTR测量 | 10mA | 电流传递率(CTR) 最小值 | 100% |
| 电流传递率(CTR), 最大值 | 200% | 输出类型 | 光晶体管 |
80～160 70 sharp dzp-4基极未引出pc817a 80～160 35 sharp sfh610a-2 63～125 70 simens nec2501-h 80～160 40 nec cny17-2 63～125 70 motoroln dzp-4基极未引出cny17-3 100～200 70 simens sfh600-1 63～125 70 simens sfh600-2 100～200 70 simens cny75ga 63～125 90 temic dzp-4基极未引出cny75gb 100～200 90 temic moc8101 50～80 30 motoroln moc8102 73～117 30 motoroln 3.光耦合器的技术参数 光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降vf、正向电流if、电流传输比ctr、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压v(br)ceo、集电极-发射极饱和压降vce(sat)。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。 最重要的参数是电流放大系数传输比ctr（curremt-t ...
