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  • CP406-CWDM3011N-CT

CP406-CWDM3011N-CT

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:在售
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIEFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9.93A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)13 毫欧 @ 1A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-FET 功能-
功率耗散(最大值)1.15W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装模具
封装/外壳模具

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