| 描述 | TRANSISTOR | 晶体管类型 | PNP |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 4 A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 125mA，1A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 1mA |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 40 @ 100mA，1V | 功率 - 最大值 | 25 W |
| 频率 - 跃迁 | 4MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
