| 描述 | MOSFET N-CH 800V SOT223 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 欧姆 @ 100mA，0V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 115 pF @ 25 V | FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
