| 晶体管类型 | NPN，PNP | 最大功率耗散 | 0.6 W |
|---|---|---|---|
| 最大发射极-基极电压 | 5 (NPN) V, -5 (PNP) V | 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 (NPN) V, -1.2 (PNP) V |
| 最大直流集电极电流 | 0.5 (NPN) A, -1 (PNP) A | 最大集电极-发射极电压 | -12 (PNP) V, 50 (NPN) V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.1 (NPN) V, -0.24 (PNP) V | 最大集电极-基极电压 | 60 V |
| 最小直流电流增益 | 300 V | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最高工作频率 | 450 (NPN) MHz, 500 (PNP) MHz | 每片芯片元件数目 | 2 |
| 类别 | 低频通用 | 配置 | 双 |
| 长度 | 2.9mm | 高度 | 0.9mm |
