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  • CSD16342Q5AT

CSD16342Q5AT

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:在售
  • 系列:NexFET?
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
产品属性
描述PROTOTYPEFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21A(Ta),100A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.7 毫欧 @ 20A,8V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7.1 nC @ 4.5 VVgs(最大值)+10V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1350 pF @ 12.5 VFET 功能-
功率耗散(最大值)3W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-VSON(5x6)
封装/外壳8-PowerTDFN

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