| 描述 | PROTOTYPE | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.7 毫欧 @ 20A，8V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 7.1 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | +10V，-8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350 pF @ 12.5 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-VSON（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
