| 描述 | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 53 毫欧 @ 500mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 3.8 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | -6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 512 pF @ 6 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 4-DSBGA（1x1） |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，DSBGA |
