| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | 系列 | NexFET? |
|---|---|---|---|
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 40 毫欧 @ 2A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 510pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 9-UFBGA，DSBGA | 供应商设备封装 | 9-DSBGA（1.8x1.8） |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 296-27609-6 |
