| 描述 | MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 P 沟道（双）共源 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | - | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.9A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 162 毫欧 @ 1A，1.8V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 3.7nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 595pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 700mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 9-UFBGA，DSBGA |
| 供应商器件封装 | 9-DSBGA |
