描述 | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
---|---|---|---|
配置 | 2 N 沟道(双)非对称型 | FET 功能 | 逻辑电平栅极,5V 驱动 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 14.3 毫欧 @ 4A,8V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 4.6nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 662pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 6W | 工作温度 | 125°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | 8-VSON(3.3x3.3) |