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CTA2P1N-7

  • 制造商:Diodes Inc.(Diodes Inc.,Diodes Inc.)
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP, N-Channel
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:100
描述Transistors Bipolar (BJT) PNP-TRANS N-CH MFET配置Dual
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-363
封装Reel集电极连续电流- 600 mA
功率耗散150 mW工厂包装数量3000

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