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  • CTLDM303N-M832DS BK

CTLDM303N-M832DS BK

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET DUAL N-CHANNEL技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 N-通道(双)FET 功能-
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 1.8A,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.25V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)590pF @ 10V
功率 - 最大值1.65W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装TLM832DS

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