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  • CTLDM8120-M832D BK

CTLDM8120-M832D BK

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  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
产品属性
描述TRANSISTOR技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 个 P 沟道(双)FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)860mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)150 毫欧 @ 950mA,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)3.56nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)200pF @ 16V
功率 - 最大值1.65W(Ta)工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装TLM832D

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