描述 | TRANSISTOR | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 个 P 沟道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 860mA(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 150 毫欧 @ 950mA,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 3.56nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 200pF @ 16V |
功率 - 最大值 | 1.65W(Ta) | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | TLM832D |