| 描述 | TRANSISTOR | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 860mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 240毫欧 @ 200mA，1.8V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 3.56 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | 8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 200 pF @ 16 V | FET 功能 | 肖特基二极管（隔离式） |
| 功率耗散（最大值） | 1.65W（Ta） | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TLM832D |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
