| 描述 | INDUCTOR HIGH Q CHIP 1000NH | 电流 | 330mA |
|---|---|---|---|
| 电流 - 饱和 | - | 电流 - 温升 | - |
| 类型 | 铁氧体芯体 | 容差 | ±5% |
| 屏蔽 | 无屏蔽 | DC 电阻(DCR) | 1.75 欧姆 |
| Q因子@频率 | 35 @ 50MHz | 频率 - 自谐振 | 290MHz |
| 材料 - 芯体 | 铁氧体 | 封装/外壳 | 1008（2520 公制） |
| 安装类型 | 表面贴装 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C | 频率 - 测试 | 25MHz |
| 其它名称 | CW252016-1R0J-NDCW252016-1R0JTR |
