您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > dda113tu-7-f
  • DDA113TU-7-F

DDA113TU-7-F

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.072
产品属性
描述TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT-363电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V电阻器 - 基极 (R1)(欧)1k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 1mA,10mA电流 - 集电极截止(最大)-
频率 - 转换250MHz功率 - 最大200mW
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363包装带卷 (TR)

dda113tu-7-f的相关型号: