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DDTB114GU-7

描述Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10KW典型电阻器比率0
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-323-3
集电极—发射极最大电压 VCEO40 V峰值直流集电极电流500 mA
最大工作温度+ 150 C封装Reel
最小工作温度- 55 C工厂包装数量3000

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