| 描述 | Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10KW | 典型电阻器比率 | 0 |
|---|---|---|---|
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-323-3 |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V | 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 最大工作温度 | + 150 C | 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C | 工厂包装数量 | 3000 |
【Diodes Inc.】DDTD114TC-7,Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10KW
【Diodes Inc.】DDTD114TU-7,Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10KW
【Diodes Inc.】DDTD122JC-7,Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 0.22KW 4.7KW 3K
【Diodes Inc.】DDTD122JU-7,Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 0.22KW 4.7KW 3K