| 描述 | IC GATE DRV HALF-BRIDG QFN3030-8 | Digi-Key Programmable | Not Verified |
|---|---|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 4.5V ~ 5.5V | 逻辑电压?- VIL，VIH | - |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 1A，3A | 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 50 V | 上升/下降时间（典型值） | 27ns，29ns |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | V-QFN3030-8（TH 类） |
