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  • DM74AS10N_Q

DM74AS10N_Q

描述门(与/非与/或/非或) Trip 3-Inp NAND Gate高电平输出电流- 2 mA
低电平输出电流20 mA传播延迟时间4.5 ns
Supply Voltage - Max5.5 VSupply Voltage - Min4.5 V
最大工作温度+ 70 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体PDIP-14封装Tube
最小工作温度0 C输入线路数量3
输出线路数量1

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