| 描述 | MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 12V，20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.5A，6.9A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17 毫欧 @ 11.8A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 30.4nC @ 8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1525pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 2.3W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 |
