描述 | MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 | 技术 | - |
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配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
漏源电压(Vdss) | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A,3.8A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 29 毫欧 @ 5A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 19.6nC @ 8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 914pF @ 6V |
功率 - 最大值 | 1.4W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | U-DFN2020-6(B 类) |