| 描述 | DIODE | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.03A（Ta），700mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 480 毫欧 @ 200mA，5V，970 毫欧 @ 100mA，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250μA，1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 0.5nC @ 4.5V，0.8nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 37.1pF @ 10V，46.1pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 450mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
