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DMC502010R

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:210

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥3.24
  • 25¥2.14
  • 100¥1.77
  • 250¥1.48
  • 500¥1.23
产品属性
描述Transistors Bipolar (BJT) Composite Transistor封装 / 箱体SMini5-F3-B
封装Reel集电极连续电流100 mA
功率耗散150 mW

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