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DMC904F00R

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:65

参考价格

  • 数量单价
  • 6400¥1.37
  • 8000¥1.37
产品属性
描述Transistors Bipolar (BJT) Composite Transistor封装 / 箱体SSMini6-F3-B
封装Reel集电极连续电流15 mA
功率耗散125 mW

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