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  • DME914C10R

DME914C10R

  • 制造商:-
  • 数据列表:DME914C1 View All Specifications
  • 标准包装:8,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 8000$0.0987
  • 16000$0.08999
  • 32000$0.08419
  • 56000$0.07548
产品属性
描述TRANS ARRAY NPN/PNP RES SSMINI6晶体管类型1 NPN 预偏压式,1 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA,500mA电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V,12V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V / 270 @ 10mA,2VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 500?A,10mA / 250mV @ 10mA,200mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA频率 - 转换300MHz
功率 - 最大125mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商设备封装SSMini6-F3-B
包装带卷 (TR)其它名称DME914C10R-NDDME914C10RTR

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