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  • DMG1012T-7

DMG1012T-7

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.0506
  • 6000$0.044
  • 15000$0.0374
  • 30000$0.0352
  • 75000$0.033
产品属性
描述MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C630mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 600mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs0.74nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds60.67pF @ 16V
功率 - 最大280mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-523供应商设备封装SOT-523
包装带卷 (TR)其它名称DMG1012T-7-NDDMG1012T-7DITRQ4768583

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