您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > dmg1016udw-7
  • DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.08
  • 6000$0.072
  • 15000$0.064
  • 30000$0.06
  • 75000$0.0532
产品属性
描述MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.07A,845mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧 @ 600mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs0.74nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds60.67pF @ 16V
功率 - 最大330mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)其它名称DMG1016UDW-7DITR

dmg1016udw-7的相关型号: