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DMG201020R

制造商：-
晶体管极性：NPN/PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
直流集电极/Base Gain hfe Min：120

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参考价格

数量单价
1￥4.97
25￥3.45
100￥2.98
250￥2.57
500￥2.21

产品属性

描述	Transistors Bipolar (BJT) Composite Transistor	封装 / 箱体	Mini5-G3-B
封装	Reel	集电极连续电流	500 mA
功率耗散	300 mW

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