| 描述 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 90 毫欧 @ 3.6A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 50?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 7nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 594.3pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMG2302U-7DITR |
