| 描述 | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 35V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.3A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 8mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18.7nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 850pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.54W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | 供应商设备封装 | TO-252-4L |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMG4511SK4-13DITR |
